2020年4月13日，湖北武漢發(fā)布全球首款128層QLC存儲(chǔ)芯片！長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新128層QLC 3D NAND閃存，宣布在武漢光谷研發(fā)成功，這是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上的驗(yàn)證。3D NAND即三維閃存技術(shù)。過去，人們用到的存儲(chǔ)芯片是平面的，相當(dāng)于地面停車場(chǎng)，而三維閃存芯片是立體的，就像是立體停車場(chǎng)。同樣的“占地面積”之下，立體芯片能夠容納更多倍數(shù)據(jù)量。

盡管這顆存儲(chǔ)芯片不到芝麻大小，卻內(nèi)藏乾坤，擁有3665億個(gè)“細(xì)胞”——存儲(chǔ)單元。QLC是繼TLC后，三維閃存新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量，高密度等特點(diǎn)，適合于讀密集型應(yīng)用。TLC的每個(gè)“存儲(chǔ)細(xì)胞”可存3bit數(shù)據(jù)，而QLC的每個(gè)“細(xì)胞”能存4bit數(shù)據(jù)。這些“存儲(chǔ)細(xì)胞”加起來，能讓一顆芯片的存儲(chǔ)容量達(dá)到驚人的1.33Tb，相當(dāng)于1362Gb。

得益于“存儲(chǔ)細(xì)胞”的不斷擴(kuò)容，以及這些“細(xì)胞”之間獨(dú)特的Xtacking架構(gòu)布局，此次先于業(yè)界發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”，擁有業(yè)界最高的存儲(chǔ)密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量。2018年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級(jí)至2.0，進(jìn)一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。

“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功，僅相隔了7個(gè)月，還有一半時(shí)間是在疫情之中?！遍L(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧表示，作為閃存行業(yè)的新進(jìn)入者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間，將中國(guó)的三維存儲(chǔ)芯片推向了128層高度。“這是數(shù)千名研發(fā)人員汗水的凝聚，也是全產(chǎn)業(yè)上下游通力協(xié)作的成果?！?/p>

全球知名閃存和固態(tài)硬盤領(lǐng)域市場(chǎng)研究公司認(rèn)為，QLC技術(shù)降低了NAND閃存單位字節(jié)的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。128層QLC閃存將率先在大容量U盤，閃存卡和固態(tài)硬盤中普及，并將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲，廣泛用于AI計(jì)算、機(jī)器學(xué)習(xí)、實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。

此芯片的發(fā)布，將會(huì)帶來儲(chǔ)存世界的重大革命！